우리나라 주요 전략물자 50선 (7)
|
전략물자관리원에서는 과거 5년간 기업들로부터 신청을 받아 판정한 품목 중에서 전략물자 해당 사례가 있는 150개 품목을 공지한바 있습니다. 지난 89호 뉴스레터부터 5회에 걸쳐 해당 빈도가 높은 50개 품목의 해설 및 통제사양에 대해 연재합니다. 따라서 하기 품목을 생산, 수출하는 업체는 반드시 관련 통제번호의 통제사양을 확인, 자가판정이나 사전판정을 신청하여 불법수출 예방 및 안전한 무역을 도모하시기 바랍니다.
* 전략물자 해당 사례 150개 품목 목록은 첨부파일을 참고하시기 바랍니다. |
(33) 유기금속화학증착(MOCVD)반응기
(통제번호 : 3B001.a.2.)
|
통제사양 |
(MOCVD)반응기로서 3C003 이나 3C004에 의해 통제받는 재료들 사이의 화학적 반응에 의하여 화합물반도체의 결정을 성장시킨 것[민감] |
|
해당사례가
있는 HSK |
2506101000, 8479892020, 8479903010, 8486903030, 8514109000 |
(34) 인 원자에 메틸, 에틸 혹은 프로필 결합물
(통제번호 : 1C450.b.1.)
|
통제사양 |
1. 인 원자가 하나의 메틸, 에틸 혹은 프로필(노르말 또는 이소)그룹이외의 다른 탄소원자에는 결합되지 않은 화학물질 (1C350과 군용물자 통제목록 해당품목은 제외)
주1 : 화학무기금지협약(CWC) 비가입국으로의
수출로 위의 화학물질을 하나 이상 함유하
고 있는 혼합물로서, 화학혼합물 중량의
1% 이상
주2 : 화학무기금지협약(CWC) 가입국으로의 수
출로 위의 화학물질을 하나 이상 함유하고
있는 혼합물로서, 화학혼합물 중량의 30%
이상
주: 1C405.b.1은 포노포스(Fonofos)를 통제하
지 않는다. : O-에틸 S-페닐 에틸포스포노티
올로티오네이트 (944-22-9) |
|
해당사례가
있는 HSK |
2931009099, 3204200000, 3809910000, 3824903930 |
(35) 교반기 및 교반기의 부분품 (통제번호 : 2B350.b.)
복수의 원재료 유체를 교반(휘저어 섞음)함으로써 소정의 화학반응을 균등하게 만드는 교반용 기기로, 2B350.a.에 해당하는 반응기에 이용할 수 있는 것이 규제되고 있다. 교반기는 유제품· 식품가공, 배수정화 등 여러 산업 분야에서 사용되고 있다
|
통제사양 |
2B350.a에 명시된 반응용기 또는 반응기에 사용하기 위한 교반기, 그리고 이러한 교반기를 위해 설계된 임펠러(impellers), 날, 또는 축으로 처리 또는 저장되는 화학물질과 직접적으로 접촉하는 교반기의 표면이 다음의 어떤 소재로 만들어진 것
1. 중량기준으로 25%를 초과하는 니켈과 20%를
초과하는 크롬이 포함된 합금
2. 불소고분자
3. 유리(유리화 또는 에나멜화된 코팅 또는 유리
피막 포함)
4. 니켈, 또는 중량기준으로 니켈 40%를 초과하
는 합금
5. 탄탈륨, 또는 탄탈륨계 합금
6. 티타늄,또는 티타늄계 합금
7. 지르코늄, 또는 지르코늄계 합금
8. 니오브(콜럼븀) 또는 니오브 합금 |
|
해당사례가
있는 HSK |
8479824000 |
(36) 흑연블럭(통제번호 : 1C107.a.)
|
통제사양 |
미세분말흑연으로서 15℃에서 최소 1.72g/㎤이상의 겉보기밀도를 가지며, 100×10-6m (100㎛)이하의 입자크기를 갖는 것으로서 1A의 시스템용으로 사용될 수 있는 로켓의의 노즐이나 재진입 비행체의 첨두에 사용될 수 있는 것으로 다음 중 하나의 것
1. 직경이 120mm 이상이고 길이가 50mm 이상
인 실린더
2. 내경이 65mm 이상, 벽 두께(wall thickness)
가 25mm 이상, 길이가 50mm 이상인 튜브
3. 120mm × 120mm × 50mm 이상의 규격을
갖는 블록
주의 : 0C004를 참조 |
|
해당사례가
있는 HSK |
3801109000, 3801100000, 3801900000 |
(37) 반도체용 적층성장장비(통제번호 : 3B001.a.1.)
|
통제사양 |
a적층성장(epitaxial growth)을 위해 설계된 장비로서 다음 중 하나인 것
1. 실리콘 이외 물질의 층을 75 mm 이상의 영역에 걸쳐 층 두께 허용오차를 ±2.5%미만으로 유지하며 생성할 수 있는 장비
주: 3B001.a.1.은 원자층 적층(Atomic Layer Epitaxy (ALE))장비를 포함
2. 유기금속화학증착(Metal organic chemical vapour deposition; MOCVD)반응기로서 3C003 이나 3C004에 의해 통제받는 재료들 사이의 화학적 반응에 의하여 화합물반도체의 결정을 성장시킨 것[민감]
3. 가스 또는 고체원료를 이용한 분자 빔 적층(molecular beam epitaxial; MBE) 성장 장치
|
|
해당사례가
있는 HSK |
8479892020, 8486204000 |
(38) 헤테로 적층 기판(통제번호 : 3C001.)
|
통제사양 |
다음 중 하나에 해당하는 소재의 다층막(multiple layer)으로 된 헤테로 적층(hetero-epitaxial) 결정을 가지는 "기판"(substrate)
a. 실리콘
b. 게르마늄
c. 실리콘 카바이드, 또는
d. 갈륨(gallium) 또는 인듐(indium)의 III/V족 화합물
|
|
해당사례가
있는 HSK |
2849200000, 3818002000 |
(39) 열가소성 액정 공중합체(통제번호 : 1C008.b.)
|
통제사양 |
하중이 1.80N/㎟에서 ISO 75-2(2004) 또는 동등한 국가규격에 의해 측정하여 열비틀림온도가 250℃를 초과하는 열가소성 액정(liquid crystal) 공중합체로서 다음의 것으로 구성된 것
1. 다음 중 하나로 된 것
a. 페닐렌(Phenylene), 비페닐렌(Biphenylene), 또는 나프탈렌(Naphthalene), 또는
b. 메틸, Tertiary-butyl 또는 페닐렌으로 치환된 페닐렌, 비페닐렌 또는 나프탈렌, 그리고
1. 다음 중 하나로 된 것
a. 테레프탈산(Terephthalic acid)
b. 6-하이드록시-2-나프토산(6-Hydroxy-2-
naphthoic acid)
c. 4-하이드록시벤조산
(4-Hydroxybenzoic acid) |
|
해당사례가
있는 HSK |
3907999000 |
(40) 시안화칼륨(통제번호 : 1C350.40.)
|
통제사양 |
시안화칼륨 (151-50-8)
주1 : 위의 화학물질을 하나 이상 함유하고 있는 혼합물로서, 화학혼합물 중량의 30% 이상 |
|
해당사례가
있는 HSK |
2837191010 |
(41) 시안화나트륨(통제번호 : 1C350.45.)
|
통제사양 |
시안화나트륨 (143-33-9)
주1 : 위의 화학물질을 하나 이상 함유하고 있는 혼합물로서, 화학혼합물 중량의 30% 이상 |
|
해당사례가
있는 HSK |
2837111000, 3824907100 |
(42) 주파수합성기용 전자조립체(통제번호 : 3A002.b.)
|
통제사양 |
"주파수합성기" "전자조립체"로서 하나의 선택 주파수에서 다른 선택 주파수로의 "주파수 전환시간"이 1ms 미만인 것;
주: 독립형 기기로서의 신호 분석기, 신호 발생기, 회로망 분석기 및 마이크로파 시험 수신기의 통제는 각각 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e., 및 3A002.f.에 의해 결정된다. |
|
해당사례가
있는 HSK |
8542391000, 8543200000 |
※ 관련 문의 : 전략물자관리원 이현건 연구원(02-6000-6436)
